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来源:http://www.chunhoop.com 责任编辑:ag环亚娱乐平台 更新日期:2018-09-16 21:42
光输出更高 功率更高 欧司朗 光电半导体正运用搭载薄膜技能的高效芯片配备其径向红外 LED (IRED)。这一改动将影响选用 T1 (3 mm) 和 T1 (5 mm) 封装及外表贴装径向 (SMR) 封装、波长为 850 nm 和 950 nm的发射器的整个产品组合。发射极端集合的径向 IRED特别

  光输出更高 功率更高

  欧司朗光电半导体正运用搭载薄膜技能的高效芯片配备其径向红外 LED (IRED)。这一改动将影响选用 T1 (3 mm) 和 T1¾ (5 mm) 封装及外表贴装径向 (SMR) 封装、波长为 850 nm 和 950 nm的发射器的整个产品组合。发射极端集合的径向 IRED特别适用于光栅、烟雾探测器等传感器运用。现在更换为搭载薄膜技能后,它们的光输出明显提高,因此能跨过更远的间隔。自2009 年以来,欧司朗光电半导体现已在其外表贴装 (SMT) 高功率 IRED 中运用搭载薄膜技能的红外发射器芯片。

  亮度倍增

  搭载薄膜技能的芯片比传统芯片高效得多,换言之,它们能将每瓦电力转换为更多的光。此外,它们基本上能将一切的光向上发射,所以简直一切的光都能射入径向元件的透镜中。总的来说,薄膜技能使径向 IRED 的辐射强度(即每立体角的光输出)添加了很多倍,详细取决于发射角。白炽灯五年后要退市 节能灯和LED,SFH 4512 就是一个很好的示例,它是 950 nm 波长的 IRED,备 10° 半角,选用 5 mm 封装。作业电流为 100 毫安 (mA) 时,其典型辐射强度为 40 毫瓦/球面度 (mW/sr)。半角和电流相同的情况下,搭载薄膜技能的平等产品 SFH 4544 的典型辐射强度高达 550 mW/sr,比上述旧数值高 13 倍以上。此改动使 850 nm 发射器的亮度也添加了七倍。

  现有产品组合添加新封装版别

  规划师可通过以下两种方法来使用上述功能的提高:或许坚持相同体系亮度的一起削减 IRED 总数,或许坚持相同数量的元件取得更高的光输出。而加工性、尺度和封装类型均可坚持不变。别的,尊龙备用网站ag88.com,此元件的功率提高还有助于在体系环境下节约电力,例如可延长烟雾探测器电池的运用寿命。径向 IRED 产品组合中的一切发射角版别都正在晋级为搭载薄膜技能,一起封装规划也被加以优化以合适强壮的芯片。欧司朗也借此机会扩展其现有产品规模。5 mm 封装的 IRED 现提供有六种半角版别(3、5、10、20、30 和 60 度),而之前仅掩盖 8 到 40 度。搭载薄膜技能的强壮径向 IRED 行将上市。

  

  

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